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Si4398DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.006
0.005
6500
5200
C iss
0.004
0.003
V GS = 4.5 V
3900
0.002
V GS = 10 V
2600
C oss
0.001
0.000
1300
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
6
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
5
V DS = 10 V
I D = 20 A
1.4
V GS = 10 V
I D = 25 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0. 8
0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
60
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.010
0.00 8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 25 A
0.006
10
0.004
T J = 25 °C
0.002
1
0.000
0.00
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73018
S11-0209-Rev. C, 14-Feb-11
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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